GS66508B-E01-MR

Технология GaN

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок GaNPX-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.7 V

Vgs - напряжение затвор-исток 7 V

Qg - заряд затвора 5.8 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности -

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel