SQD10950E_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V

Id - непрерывный ток утечки 11.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 134.2 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 10.6 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Неизвестно