SQ4532AEY-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 7.3 A, 5.3 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V, 2.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 5.9 nC, 7.9 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 3.3 W, 3.3 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel