SIDR392DP-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-SO-8DC-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 100 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 620 uOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 125 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 125 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, Reel