SIZ926DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR-6x5-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V

Id - непрерывный ток утечки 40 A, 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.2 mOhms, 4.8 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток - 12 V, 16 V

Qg - заряд затвора 12.5 nC, 27 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 20.2 W, 40 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel