GS66516T-E02-MR

Технология GaN

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок GaNPX-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 7 V

Qg - заряд затвора 12 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel