SIHB17N80E-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок D2PAK-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V

Id - непрерывный ток утечки 15 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 290 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 122 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 208 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Неизвестно