SIZF914DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR-6x5F-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, NPN

Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V

Id - непрерывный ток утечки 40 A, 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms, 1.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V

Qg - заряд затвора 14 nC, 65 nC

Минимальная рабочая температура - 50 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 26.6 W, 60 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel