IXTK600N04T2

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-264-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Id - непрерывный ток утечки 600 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 590 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 1.25 kW

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube