Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SIR606BDP-T1-RE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Id - непрерывный ток утечки 38.7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14.5 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Qg - заряд затвора 20 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 62.5 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару