Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SI8499DB-T2-E1
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок MicroFoot-6
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 16 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 26 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Qg - заряд затвора 30 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 13 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение TrenchFET
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару