IXFB110N60P3

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок PLUS-264-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 110 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 56 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 245 nC

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 1.89 kW

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube