Отслеживание:

Создать запрос 0

Поиск:

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / IXFX170N20P

IXFX170N20P

Изображение элемента

Есть ROHS

Описание:

МОП-транзистор Polar HiperFET Power МОП-транзистор

1

Характеристики

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-247-3

Количество каналов Неизвестно

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V

Id - непрерывный ток утечки 170 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 185 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 1.25 kW

Конфигурация Неизвестно

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос

Сообщение отправлено

Ожидайте звонка

Товар добавлен в запрос

Сообщение отправленно

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться