CSD19535KTT

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 197 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.4 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 75 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 300 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel