IXFP4N85XM

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-220-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 850 V

Id - непрерывный ток утечки 3.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.5 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 7 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 150 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube