Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SI8481DB-T1-E1
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок MicroFoot-4
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 9.7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 17 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 900 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Qg - заряд затвора 81 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 2.8 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару