IRF6644TRPBF

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DirectFET-MN

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 10.3 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.3 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.8 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 35 nC

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 89 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение DirectFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel