SIZF920DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR 6x5F-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 76 A, 197 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.07 mOhms, 1.05 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V

Qg - заряд затвора 29 nC, 125 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 28 W, 74 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET; PowerPAK

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel