SQ3585EV-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TSOP-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 3.57 A, 2.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV, 1.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 12 V

Qg - заряд затвора 2.5 nC, 3.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 1.67 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel