Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SQ2303ES-T1_GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 170 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Qg - заряд затвора 4.5 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Pd - рассеивание мощности 1.9 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация AEC-Q101
Коммерческое обозначение TrenchFET
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару