IXFP4N100PM

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-220FP-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV

Id - непрерывный ток утечки 2.1 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.3 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 26 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 40 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Неизвестно