SIZF918DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR-6x5F-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, NPN

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 40 A, 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V, 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V

Qg - заряд затвора 14.6 nC, 37 nC

Минимальная рабочая температура - 50 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 26.6 W, 50 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel