FQD9N25TM-F080

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V

Id - непрерывный ток утечки 7.4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 420 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 2.5 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение QFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel