Отслеживание:

Создать запрос 0

Поиск:

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / NCV84160DR2G

NCV84160DR2G

Изображение элемента

Есть ROHS

Описание:

МОП-транзистор 160MOHM SMARTFET

1

Характеристики

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOIC-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 41 V

Id - непрерывный ток утечки 3.5 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 160 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток Неизвестно

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.49 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос

Сообщение отправлено

Ожидайте звонка

Товар добавлен в запрос

Сообщение отправленно

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться