FQA11N90C-F109

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-3PN-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V

Id - непрерывный ток утечки 11 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.4 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Неизвестно

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 300 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение QFET

Упаковка Tube