IXTA220N04T2-7

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-7

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Id - непрерывный ток утечки 220 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.8 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 112 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 360 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube