NTHD3100CT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок ChipFET-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 3.9 A, 3.2 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV, 450 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V, - 2.5 V

Qg - заряд затвора 2.3 nC, 7.4 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 3.1 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel