IGT60R190D1SATMA1

Технология GaN

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PG-HSOF-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Id - непрерывный ток утечки 12.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.9 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 3.2 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 55.5 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение CoolGaN

Упаковка Cut Tape, Reel