IXFB100N50P

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок PLUS-264-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V

Id - непрерывный ток утечки 100 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 49 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 240 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.25 kW

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube