SIS435DNT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-1212-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 30 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.4 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 900 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Qg - заряд затвора 180 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 39 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel