SCT2H12NZGC11

Технология SiC

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-3PFM-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1700 V

Id - непрерывный ток утечки 3.7 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.15 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.6 V

Vgs - напряжение затвор-исток - 6 V, 22 V

Qg - заряд затвора 14 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 35 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Tube