QS8F2TCR

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TSMT-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel, PNP

Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V

Id - непрерывный ток утечки 2.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 44 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 13 nC

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.5 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Reel