CSD25213W10

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DSBGA-4

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 1.6 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 67 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 850 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 6 V

Qg - заряд затвора 2.2 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel