SISS65DN-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAK-1212-8S-8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 94 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.6 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 138 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 65.8 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel