TP65H050WS

Технология GaN Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-247-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 36 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 60 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 24 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 119 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Неизвестно