AUIRF8739L2TR

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DirectFET-L8

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Id - непрерывный ток утечки 545 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 350 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V

Vgs - напряжение затвор-исток 40 V

Qg - заряд затвора 562 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 340 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel