TT8M3TR

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TSST-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 2.5 A, 2.4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 3.6 nC, 6.7 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.25 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel