CSD17313Q2Q1T

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок WSON-FET-6

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, 8 V

Qg - заряд затвора 2.1 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 17 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel