Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / FCP110N65F
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Id - непрерывный ток утечки 35 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 110 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, 30 V
Qg - заряд затвора 98 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 357 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение SuperFET II FRFET
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару