Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SI1012CR-T1-GE3
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SC-75-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Id - непрерывный ток утечки 600 mA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 396 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
Qg - заряд затвора 1.3 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 240 mW
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение TrenchFET
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару