SIHD6N65ET1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 7 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 500 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 24 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 78 W

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Reel