SIZ200DT-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerPAIR-3x3S-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 61 A, 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.5 mOhms, 5.8 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V

Qg - заряд затвора 28 nC, 30 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 33 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel