CSD19538Q2

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок WSON-FET-6

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 50 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 59 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.8 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 5.6 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 20.2 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel