Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / IMZ120R045M1XKSA1
Есть ROHS
Описание:
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Характеристики
Технология SiC
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-247-7
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1200 V
Id - непрерывный ток утечки 52 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 59 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 10 V, 20 V
Qg - заряд затвора 52 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Pd - рассеивание мощности 228 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару