CSD25310Q2T

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок WSON-FET-6

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 20 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 19.9 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Qg - заряд затвора 4.7 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 2.9 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel