C3M0280090J

Технология SiC

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-7

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V

Id - непрерывный ток утечки 11 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 385 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V

Vgs - напряжение затвор-исток 18 V, - 8 V

Qg - заряд затвора 9.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 50 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Tube