IXFT60N50P3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-268-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V

Id - непрерывный ток утечки 60 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 96 nC

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 1040 W

Конфигурация Single

Канальный режим Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube