SQ1912AEEH-T1_GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 800 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 12 V

Qg - заряд затвора 1.25 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 1.5 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel