STS8DN6LF6AG

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Id - непрерывный ток утечки 8 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Qg - заряд затвора 27 nC, 27 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 3.2 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение STripFET

Упаковка Неизвестно