CSD19536KCS

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-220-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Id - непрерывный ток утечки 259 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.7 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 118 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Pd - рассеивание мощности 375 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение NexFET

Упаковка Tube